處理六氯矽乙烷及其水解產物之方法
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- 領域：化學工程及製程
- 研發教師：陳政任
- 技術說明： 六氯矽乙烷(Hexachlorodisilane, Si2Cl6, HCDS)是新世代半導體原子層氣相沉積(ALD)製程的矽來源氣體，其特點是較低的沉積溫度，使解離的矽原子能較易填入更微小的溝槽，也正因如此，六氯矽乙烷的用量逐年增加，是新世代半導體技術不可或缺的原料。但六氯矽乙烷極易水解，水解後其矽-矽鍵仍保存卻易因撞擊或摩擦而斷裂、發生自氧化的爆炸性反應、特別是水解後的產物造成沉積機台尾氣的真空幫浦與管路於維修時發生爆炸，此事故已發生於美國Global Foundries、Intel、Micron半導體廠內。本技術發現硫酸能使六氯矽乙烷的水解產物產生膠羽化，無法完全乾燥，進而降低或避免撞擊敏感性，使得半導體的從業人員面對六氯矽乙烷水解沉積物堵塞問題時，能安全、有效的處裡，減少災害事故的發生。
- 創新特色： 本技術已成功應用於國內某六氯矽乙烷的供應商，協助其處理HCDS洩漏鋼瓶之處理。
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